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    光催化反應(yīng)器

    型號(hào):

    產(chǎn)品時(shí)間:2025-03-27

    簡(jiǎn)要描述:

    光催化反應(yīng)器定制加工服務(wù)包括微通道的刻蝕、芯片切割打孔和芯片鍵合,我們經(jīng)過(guò)數(shù)年如一日的工藝探索,將上述工藝進(jìn)行優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)常用多做玻璃材料的微通道加工和芯片鍵合,并建成低成本大批量柔性生產(chǎn)線,即可滿足科研用戶小量多次的科研需求,又可滿足微化工產(chǎn)業(yè)化用戶微通道反應(yīng)器工藝開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的要求。

    詳細(xì)介紹

    產(chǎn)品品牌:那央

    產(chǎn)品介紹:

    光催化反應(yīng)器,定制加工服務(wù)包括微通道的刻蝕、芯片切割打孔和芯片鍵合,我們經(jīng)過(guò)數(shù)年如一日的工藝探索,將上述工藝進(jìn)行優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)常用多做玻璃材料的微通道加工和芯片鍵合,并建成低成本大批量柔性生產(chǎn)線,即可滿足科研用戶小量多次的科研需求,又可滿足微化工產(chǎn)業(yè)化用戶微通道反應(yīng)器工藝開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的要求。

            光催化反應(yīng)器定制加工服務(wù)
    • 可加工玻璃材質(zhì):鈉鈣玻璃(也即蘇打玻璃或綠玻璃),高硼硅玻璃(康寧、肖特)和石英玻璃(JSG-2)
    • 微通道加工方式:HF濕法刻蝕,激光刻蝕和機(jī)械加工
    • 切割和打孔方式:激光加工
    • 微通道加工尺寸:HF濕法刻蝕,常用微反應(yīng)器微通道尺寸為50μm~1000μm(寬度加工能力小可達(dá)2μm,深度可控制在nm級(jí)別);激光加工,常用微反應(yīng)器微通道尺寸為0.3~3mm(由于激光加工微通道底部粗糙度較大,加工大尺寸可選)。
    • 微通道深寬比:HF濕法刻蝕一般按照以下公式設(shè)計(jì),預(yù)期寬度=設(shè)計(jì)寬度+刻蝕深度×2×a(a為刻蝕系數(shù),主要由玻璃材料決定);若選激光加工方式,深寬比基本不受限制。
    • 玻璃芯片鍵合:低溫預(yù)鍵合,高溫強(qiáng)化鍵合(低于軟化溫度),不會(huì)導(dǎo)致微通道在鍵合過(guò)程中壓縮塌陷;可實(shí)現(xiàn)雙層、三層和更多層鍵合。
    • 承受流體壓力:可達(dá)20bar,若加載環(huán)壓,可達(dá)10Mpa甚至40Mpa,后者適用于石油驅(qū)替研究(本公司可提供環(huán)壓裝置定制)。
    • 流體驅(qū)動(dòng):那央提供成套成熟的流體進(jìn)出口接頭和夾具,可配套注射泵、蠕動(dòng)泵及柱塞泵等。
    • 溫度控制:那央提供成套成熟的溫度控制設(shè)備,恒溫加熱(或梯度加熱)或恒溫制冷。

    玻璃微通道芯片反應(yīng)器濕法刻蝕:

    >>底面光滑
    >>透光性好
    >>微通道邊緣整齊平滑

    玻璃微通道芯片反應(yīng)器激光刻蝕:

    >>可加工大尺寸微通道
    >>流體通量高
    >>流體壓降小
    >>底面為毛面,粗糙度約0.5μm
    >>微通道邊緣約1~50μm崩邊

    鈉鈣玻璃、硼硅玻璃和石英玻璃部分性能參數(shù)對(duì)比:

    表:鈉鈣硅玻璃、高硼硅玻璃和石英玻璃的主要性能
    序號(hào) 項(xiàng)目名稱 單位 鈉鈣硅玻璃  高硼硅玻璃  石英玻璃 
     1 密度  g/cm3  2.5  2.23  2.2
     2 膨脹系數(shù)    8.6~9.0  3.2  0.54
     3 抗熱沖擊性      ≥280  1200
     4 耐熱性能    ℃    500  1100
     5 化學(xué)穩(wěn)定性    差 好   好
     6 可見(jiàn)光透過(guò)率   %  81-88  92  95
     7 360~400nm紫外線    %    90~92  
     8  紅外線透過(guò)率   %    90~92  
     9  平均比熱      0.98  0.67
     10  彈性模量  KN/mm    64  
     11  抗張強(qiáng)度  N/mm²    35~100  
     12  作業(yè)溫度   ℃  1020  1270  2000
     13  軟化點(diǎn)   ℃  720  820  1680
     14  退火點(diǎn)   ℃  545  560  1210
     15  應(yīng)變點(diǎn)   ℃  515  520  1120
     16  導(dǎo)熱率  Wm'K'  0.76-0.92  1.2  1.4

     

     


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